
products category
更新时间:2026-02-02
浏览次数:5在激光与光电行业中,Behlke高压开关(尤其是基于MOSFET和SCR技术的型号)通过快速、精确的高压脉冲控制,实现激光发射、光电调制及高精度信号处理,其工作原理可归纳为以下核心环节:

一、基于MOSFET技术的开关:快速脉冲生成
结构原理
Behlke的MOSFET高压开关(如HTS40-06-B)采用低导通电阻的沟槽场效应管技术,通过多个MOSFET并联或串联组合,实现高压(很 高200kV)和大电流(峰值16kA)的承载能力。其核心优势在于极短的开关时间(导通时间100ns至100μs可选)和低控制功率,适合高频脉冲应用。
工作过程
触发阶段:接收TTL或光纤控制信号后,驱动电路迅速激活MOSFET栅极,使其从截止状态切换至导通状态。
导通阶段:MOSFET保持低阻抗通路,允许高压脉冲通过(如驱动激光二极管或Pockels单元)。
关断阶段:控制信号消失后,MOSFET快速恢复高阻抗状态,阻断电流,完成脉冲周期。
行业应用
激光电源:为固体激光器(如Nd:YAG)或光纤激光器提供纳秒级脉冲电流,控制激光发射频率和能量。
Pockels单元驱动:在电光调制器中生成精确方波脉冲,调节激光相位或偏振状态,用于光通信或量子光学实验。
EMC测试设备:产生高频高压脉冲,模拟电磁干扰环境,测试光电设备的抗干扰能力。
二、基于SCR技术的开关:高电压大电流控制
结构原理
Behlke的SCR高压开关(如HTS400-200-SCR)通过串联或并联多个可控硅(SCR),实现690V至150kV的宽电压范围和0.1A至200kA的电流承载能力。其特点为单向导电性和**latch-on特性**(触发后需电流降至维持电流以下才能关断)。
工作过程
触发阶段:低压控制信号激活SCR门极,使其从阻断状态转为导通状态。
导通阶段:SCR保持导通,允许高压大电流通过(如驱动磁控管或离子源)。
关断阶段:电流自然过零或通过强制关断电路(如辅助换向电路)使SCR恢复阻断状态。
行业应用
光电探测器校准:为光电倍增管(PMT)或雪崩光电二极管(APD)提供高压偏置,优化信号灵敏度。
高功率微波源:驱动磁控管或速调管,生成高频微波信号,用于雷达或电子对抗系统。

三、技术优势与行业适配性
快速响应与高精度
MOSFET开关的纳秒级开关速度和SCR开关的稳定导通特性,满足激光与光电行业对脉冲宽度、上升时间的严苛要求(如皮秒级激光调制)。
模块化与定制化
Behlke提供600余种标准模块,并支持根据客户需求定制导通时间、冷却方式(如液冷)及封装形式(如PCB插针型),适配从实验室原型到工业级设备的多样化需求。
抗干扰与可靠性
通过优化电磁兼容性(EMC)设计和散热结构,确保开关在强电磁环境(如激光加工车间)或高温条件下稳定运行,降低故障率。
四、典型应用案例
激光打标机:使用HTS40-06-B开关控制Q开关脉冲,实现高精度标记。
光通信测试:通过HTS120-1600-SCR开关为Pockels单元提供高频方波,调制光信号相位。
医疗激光设备:采用HTS50-05系列开关控制激光电源,确保治疗过程的安全性。

返回列表